E-FORM Mask

차별화된 TOTAL SOLUTION TECHNOLOGY
4대 핵심기술을 바탕으로 고객에게 다양한 서비스를 제공합니다.

Overview

  • 포토리소그래피 공정이 적용되는 E-FORM Mask는 가장 최고의 인쇄 품질을 제공합니다.
  • 가장 뛰어난 정밀도(Most Accuracy) 구현이 가능합니다.
  • 높은 인쇄성, 내구성을 바탕으로 미세피치를 요구하는 전자부품, 반도체 제조에 적용됩니다.
  • 직선, 구, 라운드의 완벽한 개구부 형상이 가능한 스텐실입니다.
  • 고객이 요구하는 두께를 자유롭게 제어 가능합니다.
  • 개구부 정밀도가 ±3㎛, 개구부 벽면 Ra 값이 0.1㎛ 이하로 구현이 가능합니다.
  • COB 마스크 적용이 가능하며 부분적으로 하프 에칭 적용이 가능합니다.

Application

  • 스마트폰
  • 웨어러블
  • 플렉시블
  • 수소자동차
  • 대체에너지

Specification

재료(Material)Ni + Co Alloy(HV450 이상)
가공 두께20㎛, 25㎛, 35㎛, 50㎛, 60㎛, 80㎛, 100㎛ 등
두께 정밀도± 10%
가공 정밀도± 3㎛
최소 Opening최소 20㎛
적용 제품Wafer Bumping, 전극인쇄, 차세대 Fine 메탈마스크
납기6 ~ 7일 이내 가능
프레임 사이즈650mm × 550mm or 736mm × 736mm
Paste 빠짐성매우 우수
특징 Auto CAD 설계 후 포토마스크 제작
포토리소그래피 공정을 적용하여 패터닝
Ni + Co 합금으로 선택된 부분만 도금층 제작
도금 두께는 자유롭게 제작 가능
Laser Cut 방식과 달리 개구부 Burr 없음
Laser, Etching 대비 가장 정밀한 패턴 및 정밀도
Laser, Etching 불가능한 패턴 및 구조 가능
대체 기술 Laser Mask, Etching Mask 등
적용분야 반도체, LED, 전자부품

Metal Mask Products

G6080 LPKF Laser
SUS 304H-TA
CAM Data 레이저 직접 가공

G6080 LPKF Laser
Ni + Co E-FORM Plate 제작
Plate에 레이저 직접 가공

염화제2철
SUS 304H-TA
소재에 포토리소그래피 적용

Laser Cut + Half Etching
SUS 304H-TA
Laser 후 포토리소그래피 적용

Laser Cut + Half Etching
SUS 304H-TA
Laser 후 포토리소그래피 적용

G6080 LPKF Laser
SUS 304H-TA
전해연마 후 Nano Coating