E-FORM Mask

差別化されたトータル・ソリューション・テクノロジー
4大核心技術を基盤として、顧客に多様なサービスを提供いたします。

Overview

  • フォトリソグラフィ工程が適用されるE-FORM Maskは、最高の印刷品質を提供します。
  • 最も優れた精密度(Most Accuracy)の具現が可能です。
  • 高い印刷性、耐久性を基盤とし、微細ピッチが求められる電子部品、半導体の製造に適用されます。
  • 直線、球、ラウンドの完璧な開口部形状が可能なステンシルです。
  • 顧客が要求する厚さを自由に制御できます。
  • 開口部の精密度は±3㎛、開口部の壁面Ra値は0.1㎛以下で具現できます。
  • COBマスクの適用が可能であり、部分的にハーフエッチングの適用が可能です。

Application

  • スマートフォン
  • ウェアラブル
  • フレキシブル
  • 水素自動車
  • 代替エネルギー

Specification

材料(Material)Ni + Co Alloy(HV450以上)
加工厚さ20㎛、25㎛、35㎛、50㎛、60㎛、80㎛、100㎛等
厚さ精密度±10%
加工精密度±3㎛
最低Opening最低20㎛
適用製品Wafer Bumping、電極印刷、次世代Fineメタルマスク
納期6~7日以内可能
フレームサイズ650mm × 550mm or 736mm × 736mm
Paste抜け性非常に優秀
特徴 Auto CAD設計後、フォトマスク製作
フォトリソグラフィ工程を適用してパターニング
Ni + Co合金で選択された部分のみめっき層を製作
めっき厚さは自由に製作可能
レーザーカット方式とは異なり、開口部のバリがない
レーザー、エッチングと比べて最も精密なパターンおよび精密度
レーザー、エッチングが不可能なパターンおよび構造も可能
代替技術 レーザーマスク、エッチングマスク等
適用分野 半導体、LED、電子部品

Metal Mask Products

G6080 LPKF Laser
SUS 304H-TA
CAM Dataレーザー直接加工

G6080 LPKF Laser
Ni + Co E-FORM Plate製作
プレートにレーザー直接加工

塩化第二鉄
SUS 304H-TA
素材にフォトリソグラフィ適用

Laser Cut + Half Etching
SUS 304H-TA
レーザー後フォトリソグラフィ適用

Laser Cut + Half Etching
SUS 304H-TA
レーザー後フォトリソグラフィ適用

G6080 LPKF Laser
SUS 304H-TA
電解研磨後にNano Coating